Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFL4105TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRFL4105TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Ток стока: 3,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFL4105TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 55В; Рассеиваемая мощность — 2,1Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFL4105TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFL4105TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
