Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPI180N10N3GXKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPI180N10N3GXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Ток стока: 43 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO262-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPI180N10N3GXKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 43 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO262-3.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 18мОм; Рассеиваемая мощность — 71Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPI180N10N3GXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 43 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO262-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPI180N10N3GXKSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPI180N10N3G-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
