Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPI111N15N3GAKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPI111N15N3GAKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3
Ток стока: 83 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO262-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPI111N15N3GAKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 83 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO262-3.
Напряжение сток-исток — 150В; Сопротивление в открытом состоянии — 11,1мОм; Рассеиваемая мощность — 214Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPI111N15N3GAKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 83 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO262-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPI111N15N3GAKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
