Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPF016N10NF2SATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPF016N10NF2SATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 274А; 300Вт; D2PAK-7
Ток стока: 274 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK-7 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPF016N10NF2SATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 274 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK-7.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,6мОм; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 161нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPF016N10NF2SATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 274 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK-7
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPF016N10NF2SATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
