Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD60R600P7SAUMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD60R600P7SAUMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 4 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD60R600P7SAUMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Рассеиваемая мощность — 30Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 9нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 16А.
Перед заказом проверьте артикул IPD60R600P7SAUMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD60R600P7SAUMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
