Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD60R280P7S — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD60R280P7S
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD
Ток стока: 8 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD60R280P7S — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,28Ом; Рассеиваемая мощность — 53Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 18нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD60R280P7S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD60R280P7S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
