Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD60R1K0CEAUMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD60R1K0CEAUMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,8А; 61Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 6,8 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD60R1K0CEAUMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 1Ом; Рассеиваемая мощность — 61Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 13нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD60R1K0CEAUMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD60R1K0CEAUMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
