Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD60R2K1CEAUMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD60R2K1CEAUMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,7А; 38Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 3,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD60R2K1CEAUMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,1Ом; Рассеиваемая мощность — 38Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 6,7нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD60R2K1CEAUMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD60R2K1CEAUMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
