Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD25DP06NMATMA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IPD25DP06NMATMA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -6,5А; 28Вт; DPAK,TO252
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD25DP06NMATMA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -6,5А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,2Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 28Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 10,6нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD25DP06NMATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD25DP06NMATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
