Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD200N15N3 G — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD200N15N3 G
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 50А; DPAK; автомобильная отрасль
Ток стока: 50 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD200N15N3 G — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 50 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 150В; Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Заряд затвора — 23нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD200N15N3 G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 50 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD200N15N3 G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
