Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPP045N10N3 G — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPP045N10N3 G
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 100А; Idm: 400А; 214Вт; TO220-3
Ток стока: 100 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPP045N10N3 G — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 100 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 214Вт; Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 400А.
Перед заказом проверьте артикул IPP045N10N3 G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 100 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPP045N10N3 G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
