Infineon Technologies · Полупроводники

Infineon Technologies IPD068N10N3 G — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: IPD068N10N3 G

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 90А; Idm: 360А; DPAK,TO252

Производитель автоматикиInfineon Technologies
АртикулIPD068N10N3 G
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

Infineon Technologies IPD068N10N3 G — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 90А; Idm: 360А; DPAK,TO252

Перед заказом проверьте артикул IPD068N10N3 G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
IPD068N10N3 G
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV