Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD068N10N3 G — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD068N10N3 G
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 90А; Idm: 360А; DPAK,TO252
Ток стока: 90 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD068N10N3 G — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 90 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 6,8мОм; Заряд затвора — 51нC; Вид канала — обогащенный.
Ток стока в импульсном режиме — 360А.
Перед заказом проверьте артикул IPD068N10N3 G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 90 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD068N10N3 G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
