Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD50R280CE — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD50R280CE
Транзистор: N-MOSFET; 550В; 18,1А; 92Вт; DPAK
Ток стока: 18,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD50R280CE — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 18,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 550В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,28Ом; Рассеиваемая мощность — 92Вт; Заряд затвора — 32,6нC.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD50R280CE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 18,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD50R280CE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
