Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB65R110CFDAATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB65R110CFDAATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; D2PAK,TO263
Ток стока: 31,2 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB65R110CFDAATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 31,2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 99мОм; Рассеиваемая мощность — 277,8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 118нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPB65R110CFDAATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 31,2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB65R110CFDAATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
