Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB60R060P7ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB60R060P7ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
Ток стока: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPB60R060P7ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 30 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 60мОм; Рассеиваемая мощность — 164Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 67нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPB60R060P7ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB60R060P7ATMA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPB60R060P7EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
