Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB60R080P7ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
Ток стока: 23 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 23 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 80мОм; Рассеиваемая мощность — 129Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 51нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPB60R080P7ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 23 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB60R080P7ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
