Infineon Technologies IKW75N65EH5XKSA1 — Транзисторы IGBT THT
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 198Вт; TO247-3; H5
Ток коллектора: 75 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Серия: H5 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Описание
Infineon Technologies IKW75N65EH5XKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 75 А; Ток коллектора в импульсе — 300А; Время включения — 61нс; Время выключения — 215нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 198Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 160нC.
Серия — H5; Технология — TRENCHSTOP™ 5.
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 75 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Серия
- H5
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKW75N65EH5XKSA1
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
