Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKW50N65ES5XKSA1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IKW50N65ES5XKSA1
Транзистор: IGBT; 650В; 60,5А; 137Вт; TO247-3
Ток коллектора: 60,5 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IKW50N65ES5XKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 60,5 А; Ток коллектора в импульсе — 200А; Время включения — 47нс; Время выключения — 161нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 137Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 0,12мкC.
Технология — TRENCHSTOP™ 5.
Перед заказом проверьте артикул IKW50N65ES5XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 60,5 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKW50N65ES5XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
