Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IKD10N60RFATMA1
Транзистор: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600В; 10А; 150Вт; DPAK
Ток коллектора: 10 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 10 А; Ток коллектора в импульсе — 30А; Время включения — 27нс; Время выключения — 186нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 64нC.
Технология — TRENCHSTOP™ RC.
Перед заказом проверьте артикул IKD10N60RFATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKD10N60RFATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
