Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKD04N60RFATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IKD04N60RFATMA1
Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 75Вт; DPAK
Ток коллектора: 4 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IKD04N60RFATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 4 А; Ток коллектора в импульсе — 12А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 75Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 27нC; Технология — TRENCHSTOP™.
Перед заказом проверьте артикул IKD04N60RFATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKD04N60RFATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
