Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKD06N60RC2ATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IKD06N60RC2ATMA1
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 11,7А; 51,7Вт; DPAK
Ток коллектора: 11,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IKD06N60RC2ATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 11,7 А; Ток коллектора в импульсе — 18А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 51,7Вт.
Заряд затвора — 31нC; Технология — Field Stop; Trench.
Перед заказом проверьте артикул IKD06N60RC2ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 11,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKD06N60RC2ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
