Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKD04N60RC2ATMA1 — Модули IGBT
MPN / артикул: IKD04N60RC2ATMA1
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 8А; 36,6Вт; DPAK
Ток коллектора: 8 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
Infineon Technologies IKD04N60RC2ATMA1. Категория: «Модули IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 8 А; Ток коллектора в импульсе — 12А; Время выключения — 90нс; Тип транзистора — IGBT.
Рассеиваемая мощность — 36,6Вт; Заряд затвора — 24нC; Технология — Field Stop; Trench.
Перед заказом проверьте артикул IKD04N60RC2ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKD04N60RC2ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
