Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IGB50N65H5ATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IGB50N65H5ATMA1
Транзистор: IGBT; 650В; 53,7А; 135Вт; D2PAK; H5
Ток коллектора: 53,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Серия: H5 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IGB50N65H5ATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 53,7 А; Ток коллектора в импульсе — 150А; Время включения — 26нс; Время выключения — 147нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 135Вт; Заряд затвора — 0,12мкC; Серия — H5.
Технология — TRENCHSTOP™ 5.
Перед заказом проверьте артикул IGB50N65H5ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 53,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Серия
- H5
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IGB50N65H5ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
