Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IGB30N60TATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IGB30N60TATMA1
Транзистор: IGBT; 600В; 39А; 187Вт; D2PAK
Ток коллектора: 39 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IGB30N60TATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 39 А; Ток коллектора в импульсе — 90А; Время включения — 44нс; Время выключения — 0,3мкс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 187Вт; Заряд затвора — 167нC; Технология — TRENCHSTOP™.
Перед заказом проверьте артикул IGB30N60TATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 39 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IGB30N60TATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
