Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IAUC60N04S6N031HATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IAUC60N04S6N031HATMA1
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 22А; Idm: 311А; 75Вт
Ток стока: 22 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IAUC60N04S6N031HATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 22 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,6мОм; Рассеиваемая мощность — 75Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 30нC; Технология — OptiMOS™ 6; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 311А.
Перед заказом проверьте артикул IAUC60N04S6N031HATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 22 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IAUC60N04S6N031HATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
