Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IAUC60N04S6L045HATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IAUC60N04S6L045HATMA1
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 18А; Idm: 193А; 52Вт
Ток стока: 18 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IAUC60N04S6L045HATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 18 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 6мОм; Рассеиваемая мощность — 52Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 19нC; Технология — OptiMOS™ 6; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±16В.
Ток стока в импульсном режиме — 193А.
Перед заказом проверьте артикул IAUC60N04S6L045HATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 18 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IAUC60N04S6L045HATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
