Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS223PWH6327XTSA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: BSS223PWH6327XTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-323
Монтаж: SMD · Корпус: PG-SOT-323 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies BSS223PWH6327XTSA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-SOT-323; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -0,39А.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,2Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,25Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ P; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул BSS223PWH6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-SOT-323
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS223PWH6327XTSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: BSS223PWH6327XTSA1-dteEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
