Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS123N H6327 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSS123N H6327
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 190мА; 500мВт; SOT23-3; ESD
Ток стока: 0,19 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSS123N H6327 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,19 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23-3.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Версия — ESD; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSS123N H6327, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,19 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS123N H6327
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
