Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSP129 H6327 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSP129 H6327
Транзистор: N-MOSFET; 240В; 350мА; Idm: 1,4А; 1,8Вт; SOT223; ESD
Ток стока: 0,35 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSP129 H6327 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,35 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 240В; Рассеиваемая мощность — 1,8Вт; Версия — ESD; Заряд затвора — 3,8нC.
Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 1,4А.
Перед заказом проверьте артикул BSP129 H6327, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,35 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSP129 H6327
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
