Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSP129H6327XTSA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSP129H6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,05А; 1,8Вт; SOT223
Ток стока: 0,05 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSP129H6327XTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,05 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 240В; Сопротивление в открытом состоянии — 6,5Ом; Рассеиваемая мощность — 1,8Вт; Полярность — полевой.
Технология — SIPMOS™; Вид канала — обедненный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSP129H6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,05 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSP129H6327XTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
