GOFORD SEMICONDUCTOR · Полупроводники

GOFORD SEMICONDUCTOR GT250P10M — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: GT250P10M

Транзистор: P-MOSFET; SGT; полевой; -100В; -56А; 173,6Вт; TO263

Производитель автоматикиGOFORD SEMICONDUCTOR
АртикулGT250P10M
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

GOFORD SEMICONDUCTOR GT250P10M — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: P-MOSFET; SGT; полевой; -100В; -56А; 173,6Вт; TO263

Перед заказом проверьте артикул GT250P10M, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
GT250P10M
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV