GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT1K2N10I — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: GT1K2N10I
Транзистор: N-MOSFET; SGT; полевой; 100В; 3,3А; 1,6Вт; SOT23
Ток стока: 3,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT1K2N10I — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 1,6Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 4,2нC.
Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT1K2N10I, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT1K2N10I
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
