GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G01N20LE — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G01N20LE
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 200В; 1,7А; 1,5Вт; SOT23; ESD
Ток стока: 1,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G01N20LE — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 200В; Рассеиваемая мощность — 1,5Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 12нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G01N20LE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G01N20LE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
