GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06M — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: GT110N06M
Транзистор: N-MOSFET; SGT; полевой; 60В; 45А; 52Вт; TO263
Ток стока: 45 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06M — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 45 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Напряжение сток-исток — 60В; Рассеиваемая мощность — 52Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 31нC.
Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT110N06M, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 45 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT110N06M
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
