GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10M — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: GT080N10M
Транзистор: N-MOSFET; SGT; полевой; 100В; 70А; 100Вт; TO263
Ток стока: 70 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10M — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 70 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 100Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 50нC.
Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT080N10M, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 70 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT080N10M
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
