GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT013N04TI — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: GT013N04TI
Транзистор: N-MOSFET; SGT; полевой; 40В; 220А; Idm: 550А; 90Вт; TO220
Ток стока: 220 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT013N04TI — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 220 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,5мОм; Рассеиваемая мощность — 90Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 50нC; Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 550А.
Перед заказом проверьте артикул GT013N04TI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 220 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT013N04TI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
