GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT011N03TE — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: GT011N03TE
Транзистор: N-MOSFET; SGT; полевой; 30В; 209А; 89Вт; TO220; ESD
Ток стока: 209 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT011N03TE — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 209 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220.
Напряжение сток-исток — 30В; Рассеиваемая мощность — 89Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 98нC; Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT011N03TE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 209 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT011N03TE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
