GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G080N10T — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: G080N10T
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 140А; 236Вт; TO220
Ток стока: 140 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G080N10T — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 140 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 236Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 192нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G080N10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 140 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G080N10T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
