GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G350P02LLE — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: G350P02LLE
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; 1,4Вт; SOT23-6
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23-6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G350P02LLE. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23-6; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -4,5А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,4Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 17,2нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±10В.
Перед заказом проверьте артикул G350P02LLE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23-6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G350P02LLE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
