GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G35N02S — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G35N02S
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 12А; 2,6Вт; SOP8
Ток стока: 12 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G35N02S — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 12 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8.
Напряжение сток-исток — 20В; Рассеиваемая мощность — 2,6Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 18нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул G35N02S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 12 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G35N02S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
