GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06M — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: G080P06M
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -195А; 294Вт; TO263
Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06M. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -195А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 294Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 186нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G080P06M, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G080P06M
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
