GOFORD SEMICONDUCTOR · Полупроводники

GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06M — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: G080P06M

Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -195А; 294Вт; TO263

Производитель автоматикиGOFORD SEMICONDUCTOR
АртикулG080P06M
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06M — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -195А; 294Вт; TO263

Перед заказом проверьте артикул G080P06M, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
G080P06M
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV