DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMN10A25GTA — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: ZXMN10A25GTA
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223
Ток стока: 3,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMN10A25GTA — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,15Ом; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул ZXMN10A25GTA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMN10A25GTA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
