DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMN10A11KTC — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: ZXMN10A11KTC
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252
Ток стока: 3,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMN10A11KTC — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,45Ом; Рассеиваемая мощность — 4,06Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул ZXMN10A11KTC, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMN10A11KTC
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
