DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07T8TA — Транзисторы многоканальные
Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07T8TA. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — 60/-60В; Ток стока — 1,4/-1,2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 250/400мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 1,36Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — MOSFET H-Bridge; Заряд затвора — 3,2/5,1нC; Вид транзистора — дополнительная пара; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMHC6A07T8TA
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
