DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMHC3F381N8TC — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: ZXMHC3F381N8TC
Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMHC3F381N8TC. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — 30/-30В; Ток стока — 3,98/-3,36А.
Сопротивление в открытом состоянии — 33мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,87Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — MOSFET H-Bridge; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 22,9...-19,6А.
Перед заказом проверьте артикул ZXMHC3F381N8TC, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMHC3F381N8TC
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
