DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMHC10A07N8TC — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: ZXMHC10A07N8TC
Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMHC10A07N8TC. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — 100/-100В; Ток стока — 0,9/-0,7А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,9/1,45Ом; Тип транзистора — N/P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,87Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — MOSFET H-Bridge; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул ZXMHC10A07N8TC, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMHC10A07N8TC
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
