DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMC10A816N8TC — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: ZXMC10A816N8TC
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 100/-100В
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMC10A816N8TC. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — 100/-100В; Ток стока — 2,2/-2,1А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,23/0,235Ом; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,4Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 9,2нC; Вид транзистора — дополнительная пара; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 9,4А.
Перед заказом проверьте артикул ZXMC10A816N8TC, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMC10A816N8TC
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
