DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: DMG6602SVT-7
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Монтаж: SMD · Корпус: TSOT26 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOT26; Напряжение сток-исток — 30/-30В; Ток стока — 2,8/-3,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,06/0,095Ом; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,112Вт; Полярность — полевой.
Вид транзистора — дополнительная пара; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул DMG6602SVT-7, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOT26
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMG6602SVT-7
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
