- Полупроводники
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6
Товары с точной идентификацией производителя и артикула. Цена, доступность и срок поставки зависят от выбранного товара.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Ср-во разработки: TI; Сост.элем: TMS570LC4357; LaunchPad™
Ср-во разработки: TI; Сост.элем: RM57L843; LaunchPad™
Ср-во разработки: TI; Сост.элем: TMS570LS1224; LaunchPad™
Ср-во разработки: RF; Сост.элем: CC1310F128,TM4C1294NCPDTI3
Ср-во разработки: Bluetooth Low Energy; макетная плата; 2,4ГГц
Ср-во разработки: TI; Сост.элем: TMS320F28027F; LaunchPad™
Ср-во разработки: TI; Сост.элем: TMS320F28069M; LaunchPad™
Ср-во разработки: TI; Сост.элем: TMS570LS0432; LaunchPad™
Транзистор: NPN; биполярный; 36В; 2,2А; TO220AB
Ср-во разработки: TI; макетная плата; Сост.элем: LM74610
Ср-во разработки: ARM Texas; кабель USB,макетная плата
Ср-во разработки: TI MSP430; Сост.элем: DRV2605L,MSP430FR2633
Ср-во разработки: TI MSP430; Сост.элем: MSP430F5529
Ср-во разработки: TI MSP430; Сост.элем: MSP430FR2311; LaunchPad™
Ср-во разработки: TI MSP430; Сост.элем: MSP430FR4133
Ср-во разработки: TI MSP430; Сост.элем: MSP430FR5739
Ср-во разработки: TI MSP430; Сост.элем: MSP430FR5994
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.