Texas Instruments
· Полупроводники
Texas Instruments CSD25310Q2 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: CSD25310Q2
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6
Монтаж: SMD · Корпус: WSON6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Texas Instruments CSD25310Q2. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — WSON6; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -20А.
Сопротивление в открытом состоянии — 89мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,9Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 3,6нC; Технология — NexFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — 48А.
Перед заказом проверьте артикул CSD25310Q2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- WSON6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CSD25310Q2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
